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Si5402DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
1200
0.08
1000
C iss
800
0.06
V GS = 4.5 V
600
0.04
V GS = 10 V
400
0.02
0.00
200
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 4.9 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 4.9 A
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
T J = 25 °C
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 4.9 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71062
S09-1503-Rev. D, 10-Aug-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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